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PDTD123ES
厂商型号

PDTD123ES

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW

丝印标识

D123ES

封装外壳

SOT-54

文件大小

68.04 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识

PHILIPS

数据手册

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更新时间

2025-8-5 15:01:00

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PDTD123ES规格书详情

General description

500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.

特性 Features

■ Built-in bias resistors

■ Reduces component count

■ Simplifies circuit design

■ Reduces pick and place costs

■ 500 mA output current capability

■ ±10 resistor ratio tolerance

Applications

■ Digital application in automotive and

industrial segments

■ Cost saving alternative for BC817 series

in digital applications

■ Controlling IC inputs

■ Switching loads

产品属性

  • 型号:

    PDTD123ES

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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