PDTD123E分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PDTD123E |
参数属性 | PDTD123E 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 3DFN |
功能描述 | NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW |
封装外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
68.04 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
原厂标识 | PHILIPS |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
人工找货 | PDTD123E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTD123E规格书详情
General description
500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.
特性 Features
■ Built-in bias resistors
■ Reduces component count
■ Simplifies circuit design
■ Reduces pick and place costs
■ 500 mA output current capability
■ ±10 resistor ratio tolerance
Applications
■ Digital application in automotive and
industrial segments
■ Cost saving alternative for BC817 series
in digital applications
■ Controlling IC inputs
■ Switching loads
产品属性
- 产品编号:
PDTD123EQAZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 50mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
100mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
DFN1010D-3
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
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