PDTD114ET分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTD114ET |
| 参数属性 | PDTD114ET 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 0.425W |
| 功能描述 | 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-236AB / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
2.53807 Mbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 9:38:00 |
| 人工找货 | PDTD114ET价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTD114ET规格书详情
General description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
特性 Features
■ 500 mA output current capability
■ Built-in bias resistors
■ Simplifies circuit design
■ Reduces component count
■ ± 10 resistor ratio tolerance
■ AEC-Q101 qualified
■ High temperature applications up to 175 °C
Applications
■ IC inputs control
■ Switching loads
■ Cost-saving alternative to BC807 or BC817 series transistors in digital applications
产品属性
- 产品编号：
PDTD114ETVL
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
NA |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
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PDTD114ETR |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
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