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PDTB113ES	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB113ET	文件：138.34 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=1k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTB113ET	文件：239.6 Kbytes Page：11 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=1kΩ Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance *AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ET	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113EU	文件：3.64552 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113EU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113EU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113Z	文件：138.19 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=10k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTB113Z_SER	文件：2.00194 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
PDTB113EK
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	PDTB113EK	NXP/恩智浦	24+	NA/	27000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	PDTB113EK	ADI	23+	SOT-23	8000	只做原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	PDTB113EK带阻三极管	NXP/恩智浦	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	PDTB113EK,115	NXP USA Inc.	2022+	SMT3; MPAK	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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