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PDTB113EU分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

PDTB113EU
厂商型号

PDTB113EU

参数属性

PDTB113EU 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.425W

功能描述

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors
TRANS PREBIAS PNP 0.425W

文件大小

3.64448 Mbytes

页面数量

27

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 18:26:00

PDTB113EU规格书详情

Features

500 mA output current capability

Built-in bias resistors

Simplifies circuit design

Reduces component count

 10 resistor ratio tolerance

AEC-Q101 qualified

High temperature applications

up to 175 °C

PDTB113EU属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PDTB113EU晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    PDTB113EUX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    33 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.425W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia(安世)
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