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PDTB113EK中文资料PDF规格书

PDTB113EK
厂商型号

PDTB113EK

参数属性

PDTB113EK 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

文件大小

245.79 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 11:47:00

PDTB113EK规格书详情

Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* 500 mA output current capability

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

* ±10 resistor ratio tolerance

产品属性

  • 产品编号:

    PDTB113EK,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    33 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SMT3; MPAK

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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