PDTB113ES分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PDTB113ES |
参数属性 | PDTB113ES 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
功能描述 | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓 |
文件大小 |
138.34 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-13 20:00:00 |
PDTB113ES规格书详情
PDTB113ES属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。恩智浦半导体公司制造生产的PDTB113ES晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。
产品属性
- 产品编号:
PDTB113ES,126
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
33 @ 50mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT23 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+22+ |
SOT-23 |
330000 |
原装现货,价格优势 |
询价 | ||
NXP |
2320+ |
SOT23 |
562000 |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Nexperia |
23/22+ |
NA |
9000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT23 |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT23 |
6000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT23 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
SOT-23.贴片 |
18800 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT23 |
94832 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |