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PDTB113EQA分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTB113EQA |
| 参数属性 | PDTB113EQA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 3DFN |
| 功能描述 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
3.67584 Mbytes |
| 页面数量 |
23 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-28 16:02:00 |
| 人工找货 | PDTB113EQA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTB113EQA规格书详情
Features and benefits
500 mA output current capability
Built-in bias resistors
10 resistor ratio tolerance
Simplifies circuit design
Reduces component count
Reduced pick and place costs
Low package height of 0.37 mm
Suitable for Automatic Optical
Inspection (AOI) of solder joint
AEC-Q101 qualified
产品属性
- 产品编号：
PDTB113EQAZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
33 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
DFN1010D-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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