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PDTB113ZK	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB113ZK	文件：138.19 Kbytes Page：10 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 10 k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTB113ZK,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
PDTB113ZQA	文件：1.96439 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZQA	文件：2.00195 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZQA	文件：2.00194 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZQA_SER	文件：2.00195 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZS	文件：138.19 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=10k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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详细参数

型号：
PDTB113ZK
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能元时代电子有限公司	PDTB113ZK	PHILIPS	23+	SOT-23	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
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更多PDTB113ZK供应商更新时间2025-5-17 14:08:00

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