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PDTA123YMB	文件：628.32 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2k廓,R2=10k廓	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123YS	文件：123.21 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA123YS	文件：237.95 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123YT	文件：123.21 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA123YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PDTA123YU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123YU	文件：123.21 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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PDTB123E	文件：138.17 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTB123EK	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB123EK	文件：138.17 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTB123EK	文件：245.81 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67682 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67582 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67584 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PDTB123ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
PDTA123YM T/R
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PDTA123YM T/R供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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