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BCL-114-PL

文件：178.86 Kbytes

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CompressionStyleRingTongueTerminal

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

BCL-114-PL

文件：178.95 Kbytes

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CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/4,Plated

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

PDTA114EQA

文件：2.80964 Mbytes

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50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■reducedpickandplacecosts

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQA

文件：2.78427 Mbytes

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50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsolderjoint

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQA

文件：2.80866 Mbytes

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50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability built-inbiasresistors simplifiescircuitdesign reducescomponentcount reducedpickandplacecosts lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified suitableforAutomaticOpticalInspection (AOI)ofsolderjoint

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQA

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50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

1.1Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQB

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50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQB

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50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQB-Q

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50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •QualifiedaccordingtoAEC-Q

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQB-Q

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50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

1.Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinanultrasmallDFN1110D-3(SOT8015) leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. Table1.Productoverview TypenumberR1R2Package kΩkΩNexperiaJEDEC NPNcomplement: PDTA14

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PDTA114EQC

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50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint

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PDTA114EQC

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50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint

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PDTA114EQC-Q

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50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •QualifiedaccordingtoAEC-Q

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114EQC-Q

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50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

1.Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinanultrasmallDFN1412D-3(SOT8009) leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. Table1.Productoverview TypenumberR1R2Package kΩkΩNexperiaJEDEC NPNcomplement: PDTA14

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTA114ES

文件：181.68 Kbytes

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PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespicka

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

PDTA114ES

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PNPresistor-equippedtransistor

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PDTA114ET

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PNPresistor-equippedtransistor

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114ET. FEATURES •Built-inbiasresistorsR1andR2 (typ.10kΩeach) •Simplificationofcircuitdesign •Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS •Especiallysuitablefors

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PDTA114ET

文件：948.33 Kbytes

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LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PDTA114ET

文件：181.68 Kbytes

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PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespicka

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

PDTA114ET

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NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=10k

Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified

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详细参数

  • 型号：

    PDTA114EMB

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    TRANS PNP W/RES 50V SOT883B

  • 功能描述：

    TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B

  • 功能描述：

    TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Transistor

  • Polarity：

    PNP; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo：

    -50V; Transition Frequency Typ

  • ft：

    180MHz; Power Dissipation

  • Pd：

    250mW; DC Collector

  • Current：

    -100mA; DC Current Gain

  • hFE：

    30; Operating ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市惊羽科技有限公司
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