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PDTA114EQC-Q分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PDTA114EQC-Q |
参数属性 | PDTA114EQC-Q 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PDTA114EQC-Q/SOT8009/DFN1412D- |
功能描述 | 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors |
封装外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
331.22 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-28 22:58:00 |
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PDTA114EQC-Q规格书详情
Features and benefits
• 100 mA output current capability
• Built-in resistors
• Simplifies circuit design
• Reduces component count
• Reduces pick and place costs
• Low package height of 0.5 mm
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
产品属性
- 产品编号:
PDTA114EQC-QZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 5mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
100mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 安装类型:
表面贴装,可润湿侧翼
- 封装/外壳:
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
DFN1412D-3
- 描述:
PDTA114EQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2016+ |
SOT-23 |
3500 |
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询价 | ||
IDT |
23+ |
SSOP |
12000 |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
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NEXPERIA |
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SOT-23 |
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Nexperia |
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恩XP |
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SOT-23 |
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NEXPERIA |
23+ |
原厂原封 |
25000 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-23-3 |
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询价 | ||
PHI |
23+ |
原厂封装 |
12300 |
询价 |