PDTA114EM分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTA114EM |
| 参数属性 | PDTA114EM 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-883 / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
181.68 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 原厂标识 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 22:30:00 |
| 人工找货 | PDTA114EM价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA114EM规格书详情
General description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Built-in bias resistors
■ Simplifies circuit design
■ Reduces component count
■ Reduces pick and place costs
■ AEC-Q101 qualified
Applications
■ Digital application in automotive and industrial segments
■ Cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications
■ Control of IC inputs
■ Switching loads
产品属性
- 产品编号：
PDTA114EMB,315
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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