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PDTA113EMB分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PDTA113EMB |
参数属性 | PDTA113EMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓 |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT883B / 3-XFDFN |
文件大小 |
755.37 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-23 23:01:00 |
人工找货 | PDTA113EMB价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
PDTA113EMB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 40mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 1.5mA,30mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XFDFN
- 供应商器件封装:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
24+ |
NA/ |
114000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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询价 | ||
NXP |
2017+ |
SOT23 |
6528 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT883B |
6000 |
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询价 | ||
NXPSEMICONDUCTORS |
23+ |
NA |
39486 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT-457 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-457 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Nexperia/安世 |
22+ |
SOT23 |
690000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT-457 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
98000 |
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