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PDTA114EQB分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTA114EQB |
| 参数属性 | PDTA114EQB 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：PDTA114EQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
| 功能描述 | 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors |
| 封装外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
326.82 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 8:24:00 |
| 人工找货 | PDTA114EQB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA114EQB规格书详情
Features and benefits
• 100 mA output current capability
• Built-in resistors
• Simplifies circuit design
• Reduces component count
• Reduces pick and place costs
• Low package height of 0.5 mm
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
产品属性
- 产品编号：
PDTA114EQBZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
DFN1110D-3
- 描述：
PDTA114EQB/SOT8015/DFN1110D-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2022+ |
TO-92-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
2020+ |
6000 |
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询价 | |||
Nexperia(安世) |
23+ |
DFN-3(1.1x1) |
7087 |
Nexperia安世原装现货库存,原厂技术支持! |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
DFN3(1.1x1) |
7350 |
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询价 | ||
恩XP |
2016+ |
SOT-23 |
3500 |
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询价 | ||
IDT |
23+ |
SSOP |
12000 |
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恩XP |
1822+ |
SOT-23 |
6852 |
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PHI |
24+ |
30000 |
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恩XP |
19+ |
SOT-23 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23-3 |
20000 |
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询价 |
