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PDTA114EQC	文件：330.62 Kbytes Page：18 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EQC	文件：335.05 Kbytes Page：18 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EQC-Q	文件：331.22 Kbytes Page：18 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •QualifiedaccordingtoAEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EQC-Q	文件：335.71 Kbytes Page：18 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors 1.Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinanultrasmallDFN1412D-3(SOT8009) leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. Table1.Productoverview TypenumberR1R2Package kΩkΩNexperiaJEDEC NPNcomplement: PDTA14	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114ES	文件：69.89 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114ET	文件：50.75 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114ET. FEATURES •Built-inbiasresistorsR1andR2 (typ.10kΩeach) •Simplificationofcircuitdesign •Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS •Especiallysuitablefors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114ET	文件：1.3323 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=10k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114ET-Q	文件：228.18 Kbytes Page：11 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114ET-Q 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EU	文件：58.88 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EU. FEATURES •Built-inbiasresistorsR1andR2(typ.10kΩeach) •Simplificationofcircuitdesign •Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS •Especiallysuitableforspac	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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