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PDTA114ET-Q	文件：228.18 Kbytes Page：11 Pages	Marking：03；Package：SOT23；50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114ET-Q 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EU	文件：58.88 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EU. FEATURES •Built-inbiasresistorsR1andR2(typ.10kΩeach) •Simplificationofcircuitdesign •Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS •Especiallysuitableforspac	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114EU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114EU	文件：1.3323 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=10k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EU-Q	文件：224.93 Kbytes Page：10 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EU 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomp	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114T	文件：91.53 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114T	文件：202.93 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kW,R2=open Features 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114T_SER	文件：202.93 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kW,R2=open Features 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114TE	文件：52.94 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114TE	文件：91.53 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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