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PDEV2220Y	文件：603.84 Kbytes Page：4 Pages	20V Dual N Channel MOSFETs General Description These dual N Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the ava 文件：603.84 Kbytes 页数：4 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDEV2220Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
SSM2220	文件：427.12 Kbytes Page：8 Pages	Audio Dual Natched PNP transistor GENERAL DESCRIPTION The SSM2220 is a dual, low noise, matched PNP transistor, which has been optimized for use in audio applications. The ultralow input voltage noise of the SSM2220 is typically only 0.7 nV/√Hz over the entire audio bandwidth of 20 Hz to 20 kHz. The low noise, high bandwidth 文件：427.12 Kbytes 页数：8 Pages	AD 亚德诺	AD
SSM2220P	文件：427.12 Kbytes Page：8 Pages	Audio Dual Natched PNP transistor GENERAL DESCRIPTION The SSM2220 is a dual, low noise, matched PNP transistor, which has been optimized for use in audio applications. The ultralow input voltage noise of the SSM2220 is typically only 0.7 nV/√Hz over the entire audio bandwidth of 20 Hz to 20 kHz. The low noise, high bandwidth 文件：427.12 Kbytes 页数：8 Pages	AD 亚德诺	AD
SSM2220S	文件：427.12 Kbytes Page：8 Pages	Audio Dual Natched PNP transistor GENERAL DESCRIPTION The SSM2220 is a dual, low noise, matched PNP transistor, which has been optimized for use in audio applications. The ultralow input voltage noise of the SSM2220 is typically only 0.7 nV/√Hz over the entire audio bandwidth of 20 Hz to 20 kHz. The low noise, high bandwidth 文件：427.12 Kbytes 页数：8 Pages	AD 亚德诺	AD

技术参数

组态：
Dual
MOS类型：
N+N
VDS(V)：
20
VGS(V)：
±8
Vth(V)：
0.3/0.6/1
4.5V：
200/300
2.5V：
235/400
1.8V：
295/550
Ciss(pF)：
38.2
Coss(pF)：
14.4
Crss(pF)：
6
Qg(nC)_4.5V：
1
Qgs(nC)：
0.26
Qgd(nC)：
0.2
ID(A)_Tc=25℃：
0.8
ID(A)_Tc=100℃：
0.51
PD(W)_Tc=25℃：
0.312
ESD Diode：
O
Schokkty Diode：
X

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