SSM2220分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

厂商型号 |
SSM2220 |
参数属性 | SSM2220 封装/外壳为8-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP |
功能描述 | Audio Dual Natched PNP transistor |
封装外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
文件大小 |
427.12 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Analog Devices |
企业简称 |
AD【亚德诺】 |
中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 16:01:00 |
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SSM2220规格书详情
SSM2220属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的SSM2220晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
GENERAL DESCRIPTION
The SSM2220 is a dual, low noise, matched PNP transistor, which has been optimized for use in audio applications.
The ultralow input voltage noise of the SSM2220 is typically only 0.7 nV/√Hz over the entire audio bandwidth of 20 Hz to 20 kHz. The low noise, high bandwidth (190 MHz), and offset voltage of (200 μV maximum) make the SSM2220 an ideal choice for demanding, low noise preamplifier applications.
FEATURES
Low voltage noise at 100 Hz, 1 nV/√Hz maximum
High gain bandwidth: 190 MHz typical
Gain at IC = 1 mA, 165 typical
Tight gain matching: 3 maximum
Outstanding logarithmic conformance: rBE = 0.3 Ω typical
Low offset voltage: 200 μV maximum
APPLICATIONS
Microphone preamplifiers
Tape head preamplifiers
Current sources and mirrors
Low noise precision instrumentation
Voltage controlled amplifiers/multipliers
产品属性
更多- 产品编号:
SSM2220PZ
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
2 PNP(双)配对
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
20mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
36V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
100mV @ 100µA,1mA
- 频率 - 跃迁:
190MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:
8-PDIP
- 描述:
TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
8 |
本站库存 |
询价 | ||||
ADI(亚德诺) |
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ADI/亚德诺 |
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