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SSM2220P分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

SSM2220P
厂商型号

SSM2220P

参数属性

SSM2220P 封装/外壳为8-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP

功能描述

Audio Dual Natched PNP transistor
TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP

封装外壳

8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

427.12 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Analog Devices
企业简称

AD亚德诺

中文名称

亚德诺半导体技术有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 16:03:00

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SSM2220P规格书详情

SSM2220P属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的SSM2220P晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

GENERAL DESCRIPTION

The SSM2220 is a dual, low noise, matched PNP transistor, which has been optimized for use in audio applications.

The ultralow input voltage noise of the SSM2220 is typically only 0.7 nV/√Hz over the entire audio bandwidth of 20 Hz to 20 kHz. The low noise, high bandwidth (190 MHz), and offset voltage of (200 μV maximum) make the SSM2220 an ideal choice for demanding, low noise preamplifier applications.

FEATURES

Low voltage noise at 100 Hz, 1 nV/√Hz maximum

High gain bandwidth: 190 MHz typical

Gain at IC = 1 mA, 165 typical

Tight gain matching: 3 maximum

Outstanding logarithmic conformance: rBE = 0.3 Ω typical

Low offset voltage: 200 μV maximum

APPLICATIONS

Microphone preamplifiers

Tape head preamplifiers

Current sources and mirrors

Low noise precision instrumentation

Voltage controlled amplifiers/multipliers

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SSM2220PZ

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    2 PNP(双)配对

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    20mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    36V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 100µA,1mA

  • 频率 - 跃迁:

    190MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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