PD55015-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
PD55015-E |
| 参数属性 | PD55015-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) |
| 文件大小 |
419.96 Kbytes |
| 页面数量 |
27 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 20:00:00 |
| 人工找货 | PD55015-E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PD55015-E规格书详情
PD55015-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD55015-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
描述 Description
The PD55015 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD55015 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD55015’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.
General features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 15W with 14dB gain @ 500MHz / 12.5V
■ New RF plastic package
产品属性
更多- 产品编号:
PD55015-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
500MHz
- 增益:
14dB
- 额定电流(安培):
5A
- 功率 - 输出:
15W
- 封装/外壳:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(成形引线)
- 描述:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2026+ |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | |||
ST(意法半导体) |
25+ |
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ST/意法 |
25+ |
PowerSO-10RF |
32360 |
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ST |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
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ST/意法 |
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PowerSO-10RF-Formed- |
860000 |
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ST(意法) |
23+ |
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STMicroelect |
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PowerSO-10 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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ST |
2432+ |
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ST/意法半导体 |
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60000 |
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