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PD55008STR-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
PD55008STR-E |
| 参数属性 | PD55008STR-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 文件大小 |
501.36 Kbytes |
| 页面数量 |
25 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 14:02:00 |
| 人工找货 | PD55008STR-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD55008STR-E规格书详情
PD55008STR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD55008STR-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
PD55008STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
500MHz
- 增益：
17dB
- 额定电流（安培）：
4A
- 功率 - 输出：
8W
- 封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
- 描述：
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
POWERSO |
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ST |
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