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PD55008L-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PD55008L-E |
| 参数属性 | PD55008L-E 封装/外壳为8-PowerVDFN；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | 8-PowerVDFN |
| 文件大小 |
202.66 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 | STMICROELECTRONICS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 22:58:00 |
| 人工找货 | PD55008L-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD55008L-E规格书详情
PD55008L-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD55008L-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
描述 Description
The PD55008L-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12V in common source mode at frequencies up to 1GHz.
PD55008L-E boasts the excellent gain, linearity and reliability of STH1LV latest LDMOS technology mounted in the innovative leadless SMD plastic package, PowerFLAT™. PD55008LE’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.
General features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 8W with 17dB gain @ 500MHz / 12.5V
■ Integrated ESD protection
■ New leadless plastic package
■ Supplied in tape and reel of 3K units
■ In compliance with 2002/95/EC european directive
产品属性
更多- 产品编号：
PD55008L-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
500MHz
- 增益：
19dB
- 额定电流（安培）：
5A
- 功率 - 输出：
8W
- 封装/外壳：
8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：
PowerFLAT™（5x5）
- 描述：
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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