首页>PD54008TR-E>规格书详情

PD54008TR-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

PD54008TR-E

参数属性

PD54008TR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF

功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF

封装外壳

PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

文件大小

822.57 Kbytes

页面数量

29

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2026-1-31 12:00:00

人工找货

PD54008TR-E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PD54008TR-E规格书详情

PD54008TR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD54008TR-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PD54008TR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    500MHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 额定电流(安培):

    5A

  • 功率 - 输出:

    8W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(成形引线)

  • 描述:

    TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
2511
TSSOP
12800
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
询价
TI
22+
TSSOP
20000
原装 品质保证
询价
TI
24+
TSSOP
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
EVERLIGHT/亿光
2026+
DIP-2
65428
百分百原装现货 实单必成
询价
PIONEER
23+
QFP
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
询价
TI
25+
TSSOP
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
PIONEER
09+
QFP
5500
原装无铅,优势热卖
询价
TI
23+
TSSOP
12800
正规渠道,只有原装!
询价
TI/德州仪器
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
TI/德州仪器
23+
TSSOP-16
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价