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PD54008TR-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
PD54008TR-E |
| 参数属性 | PD54008TR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) |
| 文件大小 |
822.57 Kbytes |
| 页面数量 |
29 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-31 16:51:00 |
| 人工找货 | PD54008TR-E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PD54008TR-E规格书详情
PD54008TR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD54008TR-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
PD54008TR-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
500MHz
- 增益:
11.5dB
- 额定电流(安培):
5A
- 功率 - 输出:
8W
- 封装/外壳:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(成形引线)
- 描述:
TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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