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PD54003S-E

STMicroelectronicsN/A

21000

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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PD54003S-E

STMicroelectronicsN/A

20948

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深圳市中飞凌科技有限公司

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PD54003S-E

STNA

60000

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只有原装 可配单

深圳市中飞凌科技有限公司

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PD54003S-E

ST原厂原封

16900

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原装现货,原厂渠道价格优势

深圳市赛特兴科技有限公司

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PD54003S-E

ST原厂原封

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PD54003S-E

STNA

20000

25+

原装

深圳市腾亿芯科技有限公司

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PD54003S-E

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20000

25+

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PD54003S-E

ST原厂原封

16900

2511

电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市盈慧通电子有限公司

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PD54003S-E

ST原厂原封

23480

26+

电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！

深圳市宸远科技有限公司

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PD54003S-E

ST

8000

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PD54003S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

产品属性

  • 产品编号：

    PD54003S-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

  • 包装：

    托盘

  • 晶体管类型：

    LDMOS

  • 频率：

    500MHz

  • 增益：

    12dB

  • 额定电流（安培）：

    4A

  • 功率 - 输出：

    3W

  • 封装/外壳：

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装：

    PowerSO-10RF（直引线）

  • 描述：

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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