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PD54008S分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PD54008S
厂商型号

PD54008S

参数属性

PD54008S 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10

功能描述

RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10

封装外壳

PowerSO-10 裸露底部焊盘

文件大小

123.97 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 22:18:00

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PD54008S规格书详情

PD54008S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD54008S晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

DESCRIPTION

The PD54008 is a common source N-Channel, enhancement-mode, lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. PD54008 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD54008’s superior linearity performance makes it an ideal solution for portable radio.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY

• COMMON SOURCE CONFIGURATION

• POUT = 8 W with 10 dB gain @ 500 MHz / 7.5V

• NEW RF PLASTIC PACKAGE

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PD54008S-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    500MHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 额定电流(安培):

    5A

  • 功率 - 输出:

    8W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(直引线)

  • 描述:

    FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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