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ST/意法POWERSO

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PD55008TR-E

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STMicroelectronicsN/A

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ST/意法POWERSO

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ST(意法)PowerSO-10 裸露底部焊盘

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STHSOP

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STMicroelectronicsN/A

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深圳市禾兴威科技有限公司

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PD55008

ST(意法)NA

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PD55008-E价格：￥65.3430品牌：STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD55008-E多少钱，想知道PD55008-E价格是多少？参考价：￥65.3430。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PD55008-E批发价格及采购报价，PD55008-E销售排行榜及行情走势，PD55008-E报价。

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PD55008-E 厂家：ST德意半导体 数量1200片 2013年产 原装进口，超低价只要36元，订货价格更优惠 联系人：孙生 13530178590 0755-82539286 QQ:32893768 地址： 深圳市福田区华强广场A座8C WWW.SARROW.114IC.C

PD55008中文资料Alldatasheet PDF

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PD55008功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF POWER TRANS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008-E_10制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD55008L功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008L-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008STR功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 4.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55008TR功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 4.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

产品属性

  • 产品编号：

    PD55008

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

  • 包装：

    带

  • 晶体管类型：

    LDMOS

  • 频率：

    500MHz

  • 增益：

    17dB

  • 额定电流（安培）：

    4A

  • 功率 - 输出：

    8W

  • 封装/外壳：

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装：

    10-PowerSO

  • 描述：

    FET RF 40V 500MHZ POWERFLAT

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