PD55003-E分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PD55003-E |
参数属性 | PD55003-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
文件大小 |
468.27 Kbytes |
页面数量 |
29 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-14 13:40:00 |
PD55003-E规格书详情
Description
The PD55003-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD55003 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD55003’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 3 W with 17dB gain @ 500 MHz / 12.5 V
■ New RF plastic package
PD55003-E属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。意法半导体(ST)集团制造生产的PD55003-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
PD55003-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
500MHz
- 增益:
17dB
- 额定电流(安培):
2.5A
- 功率 - 输出:
3W
- 封装/外壳:
PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:
10-PowerSO
- 描述:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2年内 |
NA |
150000 |
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ST/STMicroelectronics/意法半导 |
21+ |
QFN |
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ST/意法半导体 |
2021+ |
10RF-Formed-4 |
7600 |
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ST |
07+/08+ |
PowerSO-10 |
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2335 |
PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
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ST(意法) |
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ST |
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