| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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STN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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15年
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ST(意法) |
6739 |
2602+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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STN/A |
70000 |
2025+ |
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4年
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STMICROELECTRONICSPOWERSO-10RF |
6850 |
23+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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15年
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ST(意法) |
6787 |
2602+ |
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8年
留言
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ST/意法PowerSO-10RF |
257 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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17年
留言
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ST |
3200 |
2432+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:13570885961邹小姐 |
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7年
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ST(意法) |
10548 |
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原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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1年
留言
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ST/意法PowerSO-10RF |
257 |
2025+ |
原装正品 询价请发QQ |
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3年
留言
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STNA |
6800 |
23+ |
原装正品,力挺实单 |
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10年
留言
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ST(意法)NA |
20094 |
26+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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9年
留言
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STPowerSO |
20000 |
25+ |
原装,请咨询 |
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16年
留言
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ST(意法) |
77411 |
26+23+ |
绝对原装正品现货 全新深圳原装进口现货 |
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15年
留言
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STso-10rf |
211 |
26+ |
现货供应 |
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5年
留言
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STPowerSO |
16900 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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5年
留言
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STPowerSO |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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3年
留言
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ST(意法) |
5321 |
25+ |
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4年
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ST(意法) |
8484 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
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STPowerSO |
23480 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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8年
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ST/意法TO-59 |
8510 |
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原装正品代理渠道价格优势 |
PD55015采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PD55015S-E价格
PD55015S-E价格:¥100.8362品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD55015S-E多少钱,想知道PD55015S-E价格是多少?参考价:¥100.8362。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PD55015S-E批发价格及采购报价,PD55015S-E销售排行榜及行情走势,PD55015S-E报价。
PD55015资讯
PD55015-E
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PD55015-E ST 1800个原装正品,订货价格很有优势,欢迎来电垂询 联系人:孙生,电话13530178590 QQ 32893768 金福实电子有限公司/深圳市福田区华强广场A8C, WWW.SARROW.114IC.COM 本公司超低价出售ST射频管 PD55008 PD5
PD55015中文资料Alldatasheet PDF
更多PD55015功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55015-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55015-PD55015S制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55015S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55015S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55015STR功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 5.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55015STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55015TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray






















