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PD54008STR-E	文件：431.29 Kbytes Page：28 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs Description The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent 文件：431.29 Kbytes 页数：28 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
PD54008TR-E	文件：431.29 Kbytes Page：28 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs Description The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent 文件：431.29 Kbytes 页数：28 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
PD54008-E	文件：822.57 Kbytes Page：29 Pages	RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs 文件：822.57 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
PD54008-E_10	文件：822.57 Kbytes Page：29 Pages	RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs 文件：822.57 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
PD54008-E-E	文件：822.57 Kbytes Page：29 Pages	RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs 文件：822.57 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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PD54008-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF功率LDMOS晶体管 The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity • Excellent thermal stability \n• Common source configuration \n• POUT = 8 W with 11.5dB gain @ 500 MHz/7.5 V \n• New RF plastic package;	ST 意法半导体	ST

产品属性

产品编号：
PD54008
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
500MHz
增益：
11.5dB
额定电流（安培）：
5A
功率 - 输出：
8W
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装：
10-PowerSO
描述：
FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10

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