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RM20N60LDV	文件：482.66 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMD20N60DF	文件：1.10606 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
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SD20N60	文件：1.1053 Mbytes Page：17 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SD20N60	文件：1.9811 Mbytes Page：17 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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