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RC48F4400P0VB0E	文件：1.36605 Mbytes Page：98 Pages	MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
RC48F4400P0VB0EJ	文件：1.35186 Mbytes Page：95 Pages	256Mband512Mb(256Mb/256Mb),P30-65nm	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron

详细参数

型号：
PC48F4400P0VB0E
功能描述：
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EZBGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
Axcell™
产品变化通告：
Product Discontinuation 26/Apr/2010
标准包装：
136
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
18M（1M x 18）
速度：
200MHz
接口：
并联
电源电压：
1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
165-TBGA
供应商设备封装：
165-CABGA（13x15）
包装：
托盘
其它名称：
71P71804S200BQ

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