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PC48F4400P0VB0EE | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | |
PC48F4400P0VB0EE | 256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | |
PC48F4400P0VB0EE | Package:64-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA | ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司 | ELPIDA | |
NumonyxWirelessFlashMemory(W18) | NUMONYX numonyx | NUMONYX | ||
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
256Mband512Mb(256Mb/256Mb),P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron |
产品属性
- 产品编号:
PC48F4400P0VB0EE
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
Axcell™
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
512Mb(32M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
100ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 2V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
64-LBGA
- 供应商器件封装:
64-EasyBGA(10x13)
- 描述:
IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MICRON |
24+ |
BGA |
1388 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
MICRON |
存储器 |
BGA |
41356 |
MICRON原装存储芯片-诚信为本 |
询价 | ||
Micron |
2450+ |
BGA |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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MICRON/镁光 |
24+ |
BGA |
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原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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MICRON |
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BGA |
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BGA |
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MICRON |
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BGA |
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MICRON |
22+ |
BGA |
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原装正品,实单请联系 |
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MICRON/美光 |
24+ |
BGA |
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原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
MICRON/美光 |
22+ |
NA |
3000 |
支持任何机构检测 只做原装正品 |
询价 |
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