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PC48F4400P0VB0EE

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EE

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EE

Package:64-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

PC48F4400P0VB0

NumonyxWirelessFlashMemory(W18)

NUMONYX

numonyx

PC48F4400P0VB0E

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0E

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EF

256Mband512Mb(256Mb/256Mb),P30-65nm

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

RC48F4400P0VB0E

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

RC48F4400P0VB0E

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    PC48F4400P0VB0EE

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Axcell™

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    512Mb(32M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    100ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    64-LBGA

  • 供应商器件封装:

    64-EasyBGA(10x13)

  • 描述:

    IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PC48F4400P0VB0EE供应商 更新时间2025-5-3 10:00:00