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PC48F4400P0VB0E	文件：1.36605 Mbytes Page：98 Pages	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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PC48F4400P0VB0E4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
PC48F4400P0VB0EA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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PC48F4400P0VB0	文件：1.37096 Mbytes Page：102 Pages	NumonyxWirelessFlashMemory(W18)	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
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详细参数

型号：
PC48F4400P0VB0E
功能描述：
IC FLASH 512MBIT 100NS 64EZBGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
Axcell™
产品变化通告：
Product Discontinuation 26/Apr/2010
标准包装：
136
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
18M（1M x 18）
速度：
200MHz
接口：
并联
电源电压：
1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
165-TBGA
供应商设备封装：
165-CABGA（13x15）
包装：
托盘
其它名称：
71P71804S200BQ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳兆威电子有限公司	PC48F4400P0VB0E	INTEL	23+	BGA	8	原装正品现货	询价

更多PC48F4400P0VB0E供应商更新时间2024-5-20 16:38:00

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