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PC48F4400P0VB0E

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0E

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EE

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EE

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EF

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0EF

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

PC48F4400P0VB0E4

Package:64-LBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

PC48F4400P0VB0EA

Package:64-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

PC48F4400P0VB0EE

Package:64-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

RC48F4400P0VB0E

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    PC48F4400P0VB0E

  • 功能描述:

    IC FLASH 512MBIT 100NS 64EZBGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    Axcell™

  • 产品变化通告:

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装:

    136

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量:

    18M(1M x 18)

  • 速度:

    200MHz

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商设备封装:

    165-CABGA(13x15)

  • 包装:

    托盘

  • 其它名称:

    71P71804S200BQ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICRON
23+
BGA
2742
原厂原装正品
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MRON/美光
23+
BGA
15000
只做进口原装假一罚百
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13500
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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INTEL
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价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询
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64-TBGA
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64-TBGA
256800
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20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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更多PC48F4400P0VB0E供应商 更新时间2025-5-20 11:45:00