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PN8110	文件：79.22 Kbytes Page：2 Pages	BilletDistributorHoldDownClamp	MALLORYMallory Sonalert Products Inc. 马洛里	MALLORY
PPBSS8110Y	文件：117.35 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. Features ■SOT363package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiencyreducesheatgeneration. Applications ■Majorapplicationsegments	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PPBSS8110Y	文件：299.37 Kbytes Page：14 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features SOT363package Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyreducesheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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RTL8110SBL-VD-LF	文件：927.48 Kbytes Page：49 Pages	INTEGRATEDGIGABITETHERNETCONTROLLER(LOM)	REALTEKRealtek Semiconductor Corp. 瑞昱瑞昱半导体股份有限公司	REALTEK
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详细参数

型号：
PBSS8110Y
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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