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PPBSS8110Y中文资料安世数据手册PDF规格书

PPBSS8110Y
厂商型号

PPBSS8110Y

功能描述

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

81

封装外壳

SOT363

文件大小

299.37 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 10:20:00

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PPBSS8110Y规格书详情

特性 Features

* SOT363 package

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High efficiency reduces heat generation

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