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PBSS5540X分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5540X
厂商型号

PBSS5540X

参数属性

PBSS5540X 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 4A SOT89

功能描述

40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

1G

封装外壳

SOT89 / TO-243AA

文件大小

239.08 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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PBSS5540X规格书详情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a medium power SOT89 (SC-62) package.

NPN complement: PBSS4540X.

2. Features and benefits

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability: IC and ICM

• High efficiency leading to less heat generation.

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Supply line switching circuits

• Battery management applications

• DC/DC converter applications

• Strobe flash units

• Medium power driver (e.g. relays, buzzers and motors).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5540X,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    375mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 4A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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