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PBSS5240Y分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5240Y
厂商型号

PBSS5240Y

参数属性

PBSS5240Y 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 2A 6TSSOP

功能描述

40 V low VCEsat PNP transistor

丝印标识

52

封装外壳

SOT363 / 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

324.34 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 23:00:00

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PBSS5240Y规格书详情

FEATURES

•Low collector-emitter saturation voltage

•High current capability

•Improved device reliability due to reduced heat generation

•Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors due to enhanced performance.

APPLICATIONS

•Supply line switching circuits

•Battery management applications

•DC/DC converter applications

•Strobe flash units

•Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers).

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SOT363 (SC-88) plastic package.

NPN complement: PBSS4240Y.

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5240Y,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    210 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-TSSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 2A 6TSSOP

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