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PBSS4420D-Q中文资料20 V, 4 A NPN low VCEsat transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS4420D-Q规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat transistor in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS5420D
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation resistance
• Ultra low collector-emitter saturation voltage
• 4 A continuous collector current
• Up to 15 A peak current
• High efficiency due to less heat generation
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
Power management functions
Charging circuits
DC-to-DC conversion
MOSFET gate driving
Power switches (e.g. motors, fans)
Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4420D-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：360
- VCEO [max] (V)
：20
- IC [max] (mA)
：4000
- hFE [min]
：300
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：Y
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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