PBSS4350T中文资料50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS4350T |
| 参数属性 | PBSS4350T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 2A TO236AB |
| 功能描述 | 50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-22 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4350T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4350T规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS5350T.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation.
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Power management applications
• Low and medium power DC/DC convertors
• Supply line switching
• Battery chargers
• Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO).
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4350T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：300
- VCEO [max] (V)
：50
- IC [max] (mA)
：2000
- hFE [min]
：300
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：100
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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SOT223 |
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