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PBSS4330PAS中文资料30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS4330PAS |
| 参数属性 | PBSS4330PAS 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 3A DFN2020D-3 |
| 功能描述 | 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-UDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-17 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4330PAS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4330PAS规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads.
PNP complement: PBSS5330PAS
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• High temperature applications up to 175 °C
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements
• Leadless small SMD plastic package with soldarable side pads
• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4330PAS
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020D-3
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：600
- VCEO [max] (V)
：30
- IC [max] (mA)
：3000
- hFE [min]
：300
- hFE [max]
：700
- Tj [max] (°C)
：175
- fT [min] (MHz)
：100
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT1061 |
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