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PBSS4360Z中文资料60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PBSS4360Z

参数属性

PBSS4360Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 3A SOT223

功能描述

60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 11:31:00

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PBSS4360Z规格书详情

描述 Description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS5360Z.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS4360Z

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SC-73

  • Size (mm)

    :6.5 x 3.5 x 1.65

  • Polarity

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :650

  • VCEO [max] (V)

    :60

  • IC [max] (mA)

    :3000

  • hFE [min]

    :200

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :75

  • Automotive qualified

    :Y

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