PBSS4360Z数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS4360Z |
| 参数属性 | PBSS4360Z 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 3A SOT223 |
| 功能描述 | 60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4360Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4360Z规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS5360Z.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4360Z
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SC-73
- Size (mm)
：6.5 x 3.5 x 1.65
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：650
- VCEO [max] (V)
：60
- IC [max] (mA)
：3000
- hFE [min]
：200
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：75
- Automotive qualified
：Y
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
12000 |
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Nexperia(安世) |
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SOT2234 |
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恩XP |
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LQFP80 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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SOT223 |
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恩XP |
24+ |
LQFP80 |
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Nexperia/安世 |
23+ |
SOT-223 |
20000 |
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恩XP |
24+ |
SOT-1118D |
30000 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT-223 |
21000 |
原装正品现货 |
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恩XP |
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SOT-1118D |
8080 |
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