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PBSS4232DD分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4232DD |
| 参数属性 | PBSS4232DD 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 32V 2A TO252 |
| 功能描述 | NPN Low Vce(sat) Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
556.87 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | PANJIT |
| 中文名称 | 強茂 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 11:20:00 |
| 人工找货 | PBSS4232DD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4232DD规格书详情
特性 Features
Silicon NPN epitaxial type
Low Vce(sat) 0.8V(max)@Ic/Ib= 2A / 200mA
High collector current capability
Excellent DC current gain characteristics
Lead free in comply with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC61249 Standard
产品属性
- 产品编号：
PBSS4232DD_L2_00001
- 制造商：
Panjit International Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 500mA，3V
- 频率 - 跃迁：
270MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252
- 描述：
TRANS NPN 32V 2A TO252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANJIT/强茂 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
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PANJIT/强茂 |
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TO-252 |
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