首页>PBSS4232DD>规格书详情
PBSS4232DD分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS4232DD |
参数属性 | PBSS4232DD 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 2A TO252 |
功能描述 | NPN Low Vce(sat) Transistor |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
556.87 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Pan Jit International Inc. |
企业简称 |
PANJIT【強茂】 |
中文名称 | 強茂股份有限公司官网 |
原厂标识 | PANJIT |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 14:36:00 |
人工找货 | PBSS4232DD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4232DD规格书详情
PBSS4232DD属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由強茂股份有限公司制造生产的PBSS4232DD晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
特性 Features
Silicon NPN epitaxial type
Low Vce(sat) 0.8V(max)@Ic/Ib= 2A / 200mA
High collector current capability
Excellent DC current gain characteristics
Lead free in comply with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC61249 Standard
产品属性
更多- 产品编号:
PBSS4232DD_L2_00001
- 制造商:
Panjit International Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
800mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 500mA,3V
- 频率 - 跃迁:
270MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
TO-252
- 描述:
TRANS NPN 32V 2A TO252
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-23 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT457 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Nexperia |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
6000 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | |||
恩XP |
15+ |
SOT23-6 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
20+ |
TSOP-6 |
120000 |
只做原装 可免费提供样品 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT23-6 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-26 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-163SOT-23-6 |
6980 |
新进库存/原装 |
询价 |