PBSS4220V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4220V |
| 参数属性 | PBSS4220V 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 20V 2A SOT666 |
| 功能描述 | 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT666 / SOT-563，SOT-666 |
| 文件大小 |
299.66 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 9:20:00 |
| 人工找货 | PBSS4220V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4220V规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability: IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 产品编号：
PBSS4220V,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
210MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：
SOT-666
- 描述：
TRANS NPN 20V 2A SOT666
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-666 |
80000 |
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恩XP |
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SOT666 |
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恩XP |
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SOT-666 |
12588 |
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恩XP |
2020+ |
SOT363 |
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恩XP |
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SOT666 |
60000 |
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恩XP |
21+ |
SOT666 |
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