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PBSS4041PX	文件：745.26 Kbytes Page：15 Pages	Marking：6G；Package：SC-62；60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041PX_15	文件：201.46 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4041PX,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 5A SOT89	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4041PZ	文件：721.41 Kbytes Page：15 Pages	60V,5.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041PZ-Q	文件：292.72 Kbytes Page：14 Pages	60V,5.7APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4041NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041PZ-Q	文件：350.43 Kbytes Page：15 Pages	60V,5.7APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4041NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041SN	文件：399.56 Kbytes Page：15 Pages	60V,6.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4041SN	文件：1.05495 Mbytes Page：15 Pages	60V,6.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041SP	文件：1.05123 Mbytes Page：15 Pages	60V,5.9APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041SPN	文件：1.22868 Mbytes Page：20 Pages	60VNPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4041PX
功能描述：
两极晶体管 - BJT Single PNP -60V -5A 600mW 110MHz
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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