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PBSS302PX-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 5.1 A PNP low VCEsat transistor 访客结账MyNexperia用户结账	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS302PZ	文件：285.71 Kbytes Page：15 Pages	20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：285.71 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS302PZ-Q	文件：273.07 Kbytes Page：14 Pages	20 V, 5.5 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS302NZ-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC and ICM • High collector c 文件：273.07 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
302	文件：326.51 Kbytes Page：1 Pages	SCREW TYPE SERIES 文件：326.51 Kbytes 页数：1 Pages	DBLECTRO	DBLECTRO
302	文件：98.77 Kbytes Page：1 Pages	Indicates Phase Presence 文件：98.77 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
302	文件：101.35 Kbytes Page：4 Pages	Extra taps upon request 文件：101.35 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
2100
VCEO [max] (V)：
-20
IC [max] (A)：
-5.1
ICM [max] (A)：
-10.2
hFE [min]：
250
hFE [typ]：
370
fT [typ] (MHz)：
130
VCEsat [max] (mV)：
-300

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博中泰实业有限公司	PBSS302PX贴片三极管	NEXPERIA/安世	24+	SOT-89	60000		询价
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更多PBSS302PX-Q供应商更新时间2025-11-24 11:00:00

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