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PBRP123ET	文件：267.54 Kbytes Page：12 Pages	Marking：7H；Package：SOT23；40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123ET-Q	文件：269.09 Kbytes Page：13 Pages	Marking：7H；Package：SOT23；40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123ET,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBRP123YT	文件：269.66 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123YT-Q	文件：271.79 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PC123	文件：714.78 Kbytes Page：15 Pages	DEVICESPECIFICATIONFORPHOTOCOUPLER ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123	文件：79.24 Kbytes Page：4 Pages	EuropeanSafetyStandardApprovedTypeLongCreepageDistancePhotocoupler ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123A	文件：714.78 Kbytes Page：15 Pages	DEVICESPECIFICATIONFORPHOTOCOUPLER ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123B	文件：280.15 Kbytes Page：16 Pages	DIP4pinReinforcedInsulationTypePhotocoupler ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123F	文件：79.24 Kbytes Page：4 Pages	EuropeanSafetyStandardApprovedTypeLongCreepageDistancePhotocoupler ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

详细参数

型号：
PBRP123ET
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RET
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PBRP123ET	恩XP	25+	SOT-23	32000	NXP/恩智浦全新特价PBRP123ET即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多PBRP123ET供应商更新时间2025-7-15 18:19:00

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