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PBRP123ET-Q中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PBRP123ET-Q

功能描述

40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

丝印标识

7H

封装外壳

SOT23

文件大小

269.09 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 20:00:00

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PBRP123ET-Q规格书详情

1. General description

PNP low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBRN123ET-Q

2. Features and benefits

• 600 mA output current capability

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High current gain hFE

• Reduces component count

• Built-in bias resistors

• Reduces pick and place costs

• Simplifies circuit design

• ± 10 resistor ratio tolerance

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• Digital application in automotive and industrial segments

• Switching loads

• Medium current peripheral driver

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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