PBRP113ET分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBRP113ET |
| 参数属性 | PBRP113ET 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| 功能描述 | 40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
266.62 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-5 14:22:00 |
| 人工找货 | PBRP113ET价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBRP113ET规格书详情
1. General description
PNP low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23
(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBRN113ET
2. Features and benefits
• 600 mA output current capability
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current gain hFE
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• ±10 resistor ratio tolerance
3. Applications
• Digital application in automotive and industrial segments
• Switching loads
• Medium current peripheral driver
产品属性
- 产品编号：
PBRP113ET,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 300mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 6mA，600mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
9000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
80000 |
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询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
Nexperia USA Inc. |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
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询价 | ||
恩XP |
21+ |
6000 |
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询价 | |||
PHI |
05+ |
SOT23 |
3000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2022+ |
3000 |
6600 |
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询价 | ||
PHI |
2023+ |
SOT23 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
