PBRN113ZT分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBRN113ZT |
参数属性 | PBRN113ZT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
功能描述 | NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
741.87 Kbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-30 20:55:00 |
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PBRN113ZT规格书详情
Features
* 800 mA output current capability
* High current gain hFE
* Built-in bias resistors
* Simplifies circuit design
* Low collector-emitter saturation voltage
VCEsat
* Reduces component count
* Reduces pick and place costs
* ±10 resistor ratio tolerance
产品属性
- 产品编号:
PBRN113ZT,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
500 @ 300mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.15V @ 8mA,800mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
NA |
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